Samsung Electronics desarrolla su 7ª Gen de memoria V-NAND con un diseño de 160 capas

Samsung Electronics ha dado a coocer que está desarrollando su memoria V-NAND de 7ª Generación con tecnología de apilamiento 3D ultra alta. El primer modelo tendrá al menos 160 capas / pisos, mientras que el resto seguirá buscar apilar una mayor densidad. Este anuncio llega días después de que la compañía china YMTC anunciara que han sido capaces de desarrollar unos chips de memoria 3D NAND Flash de 128 capas que iniciarán su producción en masa a finales de 2020.

Samsung 3D V NAND 0

Esta tecnología de apilamiento 3D de Samsung recibe el nombre de Double Stack. Como su nombre indica, estamos ante un diseño de doble apilamiento que crea agujeros de electrones en dos momentos distintos para que la corriente pase por los circuitos.

Vamos a lo que importa, y es que ofrecer chips de memoria de 160 capas prometen aumentar en un 67 por ciento la densidades respecto a los chips de 96 capas. Estas capas aún pueden aumentar fácilmente bajo el mismo diseño, empleando por ejemplo nuevos procesos de fabricación o usando chips de memoria PLC de 5 bits por celda. Este último ejemplo es el que está realizado Kioxia, anteriormente conocida como Toshiba Memory.

vía: TechPowerUp

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