Samsung inicia la fabricación en masa de su almacenamiento eUFS 3.1 de 512GB @ 2000 MB/s
Samsung Electronics ha dado a conocer que hoy inició la fabricación en masa de las primeras unidades de almacenamiento eUFS 3.1 (embedded Universal Flash Storage) de 512 GB de capacidad para los smartphones de gama alta, y es que los smartphone tope de gama de cada fabricante no han estrenado solo la memora RAM LPDDR5, sino que algunos de ellos también estrenaron este almacenamiento, que es más rápido y eficiente respecto al UFS 3.0.
El almacenamiento eUFS 3.1 es hasta un 60 por ciento más rápido que el UFS 3.0, lo que se traduce en alcanzar la misma velocidad secuencial de lectura de 2100 MB/s, pero triplicando la velocidad de escritura hasta los 1200 MB/s, y todo ello con una velocidad aleatoria 4K de 100.000 IOPS (vs 63.000; 60%) y la escritura aleatoria 4K en 70.000 IOPS (vs 68.000; 3%).
"Con nuestra introducción del almacenamiento móvil más rápido, los usuarios de teléfonos inteligentes ya no tendrán que preocuparse por el cuello de botella que enfrentan con las tarjetas de almacenamiento convencionales", dijo Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Ventas de Memoria y Marketing de Samsung Electronics. "El nuevo eUFS 3.1 refleja nuestro continuo compromiso de apoyar las crecientes demandas de los fabricantes mundiales de smartphones este año".
Con una velocidad de escritura secuencial de más de 1.200 MB/s, el Samsung 512 GB eUFS 3.1 tiene más del doble de velocidad que un SSD para PC basado en la interfaz SATA III (540 MB/s) y más de diez veces la velocidad de una tarjeta microSD UHS-I (90 MB/s). Los teléfonos con el nuevo almacenamiento eUFS 3.1 sólo tardarán alrededor de 1,5 minutos en mover 100 GB de datos, mientras que los teléfonos basados en el UFS 3.0 requieren más de cuatro minutos.
