SK Hynix desarrolla sus chips de memoria de 16 Gb @ 1Znm

SK Hynix anunció el desarrollo de sus chips de memoria DRAM de 16 Gb de capacidad a un proceso de fabricación de 1Znm para la creación de kits de memoria RAM DDR4. Según la compañía, estos chips de 16 Gb son los de mayor densidad encontrados en el mercado, a lo que se le suma un proceso de fabricación económico al no requerir el uso de la altamente costosa litografía EUV (Extreme UltraViolet), por lo que son más una opción más competitiva, además de haber conseguido mejorar la productividad en torno a un 27 por ciento respecto a la anterior generación de chips.

SK Hynix

Estos nuevos chips de memoria son capaces de alcanzar una velocidad de transferencia de datos de hasta 3.200 Mbps, convirtiéndose así en los chips de memoria DDR4 más rápidos. A ello se le suma un aumento en la eficiencia energética, nada menos que en torno a un 40% respecto a los chips de memoria de 8 Gb @ 1Ynm. Con esta memoria la compañía promete lanzar sticks DDR4 con densidades de 32 GB a un precio más económico.

Para que nos hagamos una idea, los 1Znm vendrían a ser una litografía entre los 13nm y los 10nm, mientras que los 1Ynm se mueve entre los 16nm y 14nm.

"La DRAM DDR4 @ 1Znm cuenta con la mayor densidad, velocidad y eficiencia energética de la industria, lo que la convierte en el mejor producto para satisfacer las cambiantes demandas de los clientes que buscan DRAM de alto rendimiento y alta densidad", dijo Lee Jung-hoon, director de la división de DRAM de la empresa.

SK Hynix espera emplear su proceso de fabricación de 1Znm, para dar vida a los chips de memoria móvil LPDDR5 y la memoria HBM3.

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