El fabricante chino Yangtze Memory arranca con la producción de memoria NAND Flash de 64 capas

Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) ha dado a conocer que ha comenzado la producción en masa de sus propios chips de memoria 3D NAND Flash de 64 capas / pisos para crear chips de memoria de 256 GB de capacidad empleando su propia arquitectura Xtacking.

Según la compañía, será capaz de dar vida a 100.000 obleas al mes durante el 2020 para luego crecer hasta las 150.000 obleas mensuales, a lo que se le suma que su empresa hermana, Tsingua Uigroup, ha comenzado a producir una fábrica de memoria 3D NAND Flash con la misma capacidad de producción que debería estar lista para producir memoria a finales del 2021.

La compañía indica que su tecnología de fabricación mediante dos obleas permite que una de ellas integre la lógica CMOS de "periferia" mientras que la segunda oblea contiene la memoria NAND Flash.

Según la compañía, con esta tecnología reduce el tamaño del die en un 25 por ciento y se aprovecha la superficie por encima del 90%, respecto a menos del 65% de la memoria 3D NAND Flash convencional. La oblea lógica está producida a un proceso de fabricación de 180nm, y la arquitectura es capaz de alcanzar los 3 Gbps I/O, prácticamente el doble de velocidad que una memoria RAM DDR4.

Para evitar el dominio de las grandes compañías, y el pacto de los precios, los fabricantes chinos, respaldados por el gobierno, están haciendo grandes esfuerzos por adentrarse en este mercado, y es por ello que Yangtze Memory ha anunciado que ya se encuentran preparando sus chips de memoria NAND Flash de 128 capas omitiendo el paso intermedio de 96 capas.