SK Hynix anuncia su memoria HBM2E, que podría dar vida a las GPUs AMD Radeon tope de gama
SK Hynix anunció el desarrollo de su nueva memoria de alto ancho de banda HBM2E, curiosamente unos días después de que surgieran los rumores de que las gráficas AMD Radeon RX basadas en el silicio tope de gama, Navi 23 (RDNA 2), emplearan esta memoria en vez de la GDDR6, la cual sería usada por la gama meda y baja.
La nueva memoria HBM2E promete mejorar, aproximadamente, el ancho de banda de la memoria HBM2 en un 50 por ciento y todo ello duplicando la capacidad máxima. Cada pila de memoria HBM2 es capaz de alcanzar un ancho de banda de 460 GB/s (vs 410 GB/s de la HBM2E de Samsung) con un rendimiento de 3.6 Gbps por pin con 1024 I/Os (Inputs/Outputs). Al emplear la tecnología TSV (Through Silicion Via), cada apilamiento de memoria en vertical puede alcanzar los 8 pisos con chips de 16 gigabits, dando lugar a un único stack de memoria de 16 GB de capacidad.
Tal y como indica SK Hynix en su nota de prensa oficial, su memoria HBM2E "es una solución de memoria óptima para la cuarta era industrial, que admite GPUs de alta gama, superordenadores, aprendizaje automático y sistemas de inteligencia artificial que requieren el máximo nivel de rendimiento de memoria". Si las futuras Radeon RX integrarán esta memoria, llegarán, como mínimo, a mediados del 2020.
"A diferencia de los productos DRAM más básicos, que adoptan un diseño en forma de módulos independientes y se montan en los PCB, el chip HBM está interconectado estrechamente con procesadores como la GPU y chips lógicos, distanciados solo a unas pocas unidades de µm, lo que permite una transferencia de datos aún más rápida."
"SK Hynix ha establecido su liderazgo tecnológico desde su primer lanzamiento de HBM en el mundo en 2013", dijo Jun-Hyun Chun, jefe de estrategia comercial de HBM. "SK Hynix comenzará la producción en masa en 2020, cuando se espera que se abra el mercado de la memoria HBM2E, y continuará fortaleciendo su liderazgo en el mercado de la memoria DRAM premium".
