Samsung Electronics anuncia su proceso de fabricación @ 3nm Gate-All-Around (3GAE)

Hace casi 1 semana me llegaron rumores de que IBM y Samsung habían alcanzado el proceso de fabricación de 3nm. Esta fuente anónima me indicaba que IBM había alcanzado los 3nm y que este proceso de fabricación se lo cedería a Samsung a cambio de que esta ultima fabricara sus procesadores OpenPOWER10 a un proceso de fabricación igual o inferior a los 7nm, y si bien no le di la suficiente credibilidad (lo siento), hoy se ha confirmado la mitad de esta noticia, que Samsung ha alcanzado los 3nm.

Siguiendo con la información que me fue filtrada, los OpenPOWER10 podrían ofrecer 48 núcleos @ +5.00 GHz con un SMT8 o SMT16, que en el último de los casos, ofrecería 768 hilos de procesamiento por CPU, por lo que rápidamente desbancaría a cualquier CPU AMD EPYC, por no hablar de Intel. Ambas compañías no tendrían nada que hacer frente a IBM.

3GAE

Volvamos al tema de la noticia, los 3nm Gate-All-Around (GAA), o dicho de otra forma, 3GAE. Este proceso de fabricación promete reducir el tamaño del área del chip en hasta un 45 por ciento respecto a los 7nm, a lo que se le suma un aumento del rendimiento en un 35 por ciento junto a una disminución del consumo energético en hasta un 50 por ciento, siendo los teléfonos inteligentes, las redes, la industria del automóvil, Inteligencia Artificial (IA) y el Internet de las Cosas (IoT) los beneficiados de este proceso de fabricación.

Pese a este anuncio, no hay ninguna fecha prevista para su lanzamiento. Para hacernos una idea, el proceso de fabricación en masa de los 5nm FinFET llegará durante la primera mitad del 2020, más tarde tendrán que llegar los 4nm empleando la tecnología EUV y más tarde estos 3nm GAA.

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