Samsung anuncia sus chips DRAM LPDDR4X de 12GB para smartphones tope de gama

Samsung Electronics anunció que ha comenzado la producción en masa de sus chips de memoria DRAM tope de gama para los smartphone, los primeros chips LPDDR4X (Low-Lower Double Data Rate 4X) con 12 GB de capacidad, los cuales están pensados para lo smartphones tope de gama de nueva generación junto a los cada vez más de moda smartphones gaming.

Adicionalmente, estos chips tienen un mercado adicional, el de los portátiles ultradelgados, aunque prácticamente la totalidad de la producción está ya ligada a terminales buque insignia.

"Con la producción en masa de nuestra nueva memoria LPDDR4X, Samsung ahora ofrece una línea completa de memoria avanzada para impulsar la nueva era de los teléfonos inteligentes, desde DRAM móvil de 12 GB hasta 512 GB de almacenamiento eUFS 3.0", dijo Sewon Chun, vicepresidente ejecutivo de Marketing de Memoria en Samsung Electronics.

"Además, con la memoria LPDDR4X estamos fortaleciendo nuestra posición como el fabricante de memoria móvil premium mejor posicionado para satisfacer la creciente demanda de los fabricantes mundiales de teléfonos inteligentes".

Estos chips de memoria DRAM de 12 GB se encuentran fabricados empleando una litografía de 10nm en un único stack, lo que permite reducir el espacio ocupado y con ello dejar espacio libre para añadir más batería a los dispositivos, aunque claro, recaerá en el fabricante del smartphone aprovechar este avance. Estos chips de memoria comenzará a dar vida a la próxima generación de terminales que lleguen durante la segunda mitad de 2019.