Samsung comienza la producción en masa de su eUFS 3.0 de 512GB para smartphones tope de gama

Samsung Electronics ha anunciado que es la primera compañía en iniciar la producción en masa de su memoria embebida Universal Flash Storage 3.0 (eUFS 3.0) de 512 GB de capacidad para la nueva generación de smartphone tope de gama. Esto se traduce en arrojar el doble de velocidad respecto a la memoria eUFS 2.1, y todo ello con mucho más capacidad, ya que los 512 GB son únicamente el inicio. A lo largo del año la compañía debería comenzar la producción en masa de su variante de 1 TB de capacidad.

Para que nos hagamos una idea, esta memoria Samsung eUFS 3.0 de 512 GB emplea la 5ª Generación de memoria V-NAND permitiendo unas velocidades secuenciales de hasta 2100 MB/s para la lectura, equivalente a un SSD M.2 de gama media, mientras que en escritura alcanza los 410 MB/s, lo que se traduce en rendir como un SSD SATA III de gama media. En lo que respecta a la lectura y escritura aleatoria 4K, arroja 63.000/68.000 IOPS.

Siguiendo los pasos de la memoria eUFS 3.0 de 512 GB, la compañía también comenzará a suministrar en breve chips de 128 GB, mientras que los chips de 1 TB y 256 GB llegarán durante la segunda mitad del año.