Intel comienza la producción en masa de su MRAM, una memoria para gobernarlos a todos
Según fuentes de la industria, Intel se encontraría ya en un proceso de fabricación en masa de su memoria MRAM (memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva). La MRAM es un tipo de memoria no volátil, lo que significa que retiene información incluso si hay un cambio en el estado de energía (es decir, al desconectar el equipo de la red eléctrica), lo que significa que es más parecida a un dispositivo de almacenamiento que a una memoria RAM.
¿Qué importancia tiene la memoria MRAM? pues se espera que esta memoria sea un candidato a largo plazo como una solución de memoria universal, reemplazando así tanto a la memoria DRAM (una tecnología de memoria volátil) como la memoria NAND Flash (una solución no volátil) que da vida a los SSD, ya que la escala de nodos con estas tecnologías es cada vez más difícil.
La memoria MRAM promete escalar mejor en el proceso de
fabricación (a nivel de fundición) con tasas de rendimiento mucho
más altas. El hecho de que se ha demostrado que la MRAM
puede lograr tiempos de latencia de 1 ns, mejores que los
límites teóricos actualmente aceptados para la DRAM, y
velocidades de escritura mucho más altas (hasta
miles de veces más rápidas) en comparación con los SSDs actuales
con la memoria NAND Flash tope de gama.
Otro de los puntos fuertes de la memoria MRAM es que promete almacenar la información durante 10 años a una temperatura de hasta 200ºc, y una resistencia de más de 10^6 ciclos de conmutación. Además de la alta resistencia, se informa que la tecnología MRAM incorporada en los 22nm tiene una tasa de rendimiento de bits superior al 99,9%. Si todo esto sucede a un proceso de fabricación, no podemos imaginar si Intel emplea su famoso proceso de fabricación de 14nm para darle vida.
vía: TechPowerUp
