Samsung presenta su almacenamiento eUFS de 1TB de capacidad, lo usaría el Galaxy S10

Samsung anunció sus nuevos chips de almacenamiento embebido Universal Flash Storage 2.1 (eUFS 2.1) que permitirán a los smartphones ofrecer hasta 1 TB de almacenamiento interno, y como no podía ser de otra forma, este chip será el que se estrene en el Galaxy S10 Plus tope de gama, que emplearía 12 GB de memoria RAM junto a 1 TB de almacenamiento.

Estos chips de memoria Samsung eUFS 2.1 impresionan más por su rendimiento que por su capacidad, y es que el chip de 1 TB alcanza unas velocidades secuenciales de lectura y escritura de 1.000/260 MB/s con una lectura y escritura aleatoria 4K de 58.000/50.000 IOPS. Esta velocidad supera a la variante de 512 GB lanzada hace bastante tiempo que ostentaba el récord con 860/255 MB/s y 42.000/40.000 IOPS.

Samsung UFS 2.1 1TB

La información de la memoria Samsung eUFS 2.1 se completa con un tamaño de 11.5 x 13 mm tanto para las variantes de 512 GB de almacenamiento y 1 GB, se emplea los chips de memoria V-NAND Flash de la compañía, y la producción en masa comenzará este trimestre en su fábrica de Pyeongtaek, en Corea, aunque por ahora la primera tirada será exclusiva para los terminales de la propia compañía, es decir, los Galaxy S10 que se anunciarán a finales del próximo mes de febrero.

MemoriaVelocidad de lecturaVelocidad de escrituraLectura
aleatoria
Escritura
aleatoria
Samsung
1TB eUFS 2.1
(Ene. 2019)
1000 MB/s260 MB/s58.000 IOPS50.000 IOPS
Samsung
512GB eUFS 2.1
(Nov. 2017)
860 MB/s255 MB/s42.000 IOPS40.000 IOPS
Samsung
eUFS 2.1 for automotive
(Sept. 2017)
850 MB/s150 MB/s45.000 IOPS32.000 IOPS
Samsung
256GB UFS Card
(Jul 2016)
530 MB/s170 MB/s40.000 IOPS35.000 IOPS
Samsung
256GB eUFS 2.0
(Feb. 2016)
850 MB/s260 MB/s45.000 IOPS40.000 IOPS
Samsung
128GB eUFS 2.0
(Ene. 2015)
350 MB/s150 MB/s19.000 IOPS14.000 IOPS
eMMC 5.1250 MB/s125 MB/s11.000 IOPS13.000 IOPS
eMMC 5.0250 MB/s90 MB/s7.000 IOPS13.000 IOPS
eMMC 4.5140 MB/s50 MB/s7.000 IOPS2.000 IOPS

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