IBM planea romper la barrera de los 7nm con grafeno electrificado

IBM ha ideado una manera de progresar en procesos de fabricación más pequeños y romper la barrera de los 7nm. En el caso de la compañía, utilizaría grafeno electrificado (por campo eléctrico) para alcanzar tal fin.

En una investigación publicada por la revista Nature Communications, los investigadores de IBM electrificaron el grafeno para ayudar a depositar los nanomateriales con una precisión del 97 por ciento, mientras que hasta ahora para depositar los nanomateriales se emplean químicos. Para llegar a este paso, IBM creó un programa de investigación hace 4 años llamado "7nm and Beyond" (7nm y más allá), en el cual realizó una inversión de 3.000 millones de dólares.

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En esta imagen vemos una capa de grafeno a gran escala que forman electrodos locales opuestos a los que se les aplica un voltaje AC para facilitar la colocación asistida de los nanomateriales (en este caso nanotubos de carbono) para, una vez colocados los materiales, quitar la estructura de grafeno.

"Como este método funciona para una amplia variedad de nanomateriales, visualizamos dispositivos integrados con funcionalidades que representan las propiedades físicas únicas del nanomaterial", dijo Mathias Steiner, gerente de IBM Research para Brasil

"También podemos imaginar detectores de luz en chips y emisores que operan dentro de un rango de longitud de onda distinto determinado por las propiedades ópticas del nanomaterial".

Como ejemplo, Mathias explicó que si se desea modificar el rendimiento espectral de un dispositivo optoelectrónico, simplemente se podría reemplazar el nanomaterial mientras mantiene el flujo del proceso de fabricación. Si se lleva este método un paso más allá, podría ensamblar diferentes nanomateriales en diferentes lugares haciendo varias pasadas del ensamblaje para crear detectores de luz en chip que funcionen en diferentes ventanas de detección al mismo tiempo.

En resumen, un método para la colocación asistida en campo eléctrico de nanomateriales mediante el uso de capas de grafeno con patrones que se pueden eliminar una vez que se completa la deposición de los nanomateriales.

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Recreación de un transistor de nanotubos empleando dicha tecnología.

Este método es compatible con el procesamiento de semiconductores convencional y puede aplicarse a una amplia clase de nanomateriales y sustratos utilizados en la producción a escala industrial. Es susceptible de una mayor escala de dispositivos y procesos complejos de integración, y puede extenderse simplemente a la fabricación de dispositivos a escala de obleas. En última instancia, "presentamos un método generalizable que abre una ruta hacia la integración ascendente de los nanomateriales para circuitos integrados a escala industrial".

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