Samsung anuncia los primeros chips de memoria DRAM LPDDR5 @ 10nm para IA y smartphones

Samsung Electronics ha anunciado el lanzamiento de los primeros chips de memoria DRAM LPDDR5 de 8 gigabit (Gb) del mercado bajo un proceso de fabricación de 10 nanómetros (10nm). Estos chips de memoria llegan 4 años después de que la compañía comenzara la producción en masa de sus primeros chips de memoria LPDDR4 de 8Gb de capacidad.

Estos chips de memoria son la última producción de chips de memoria DRAM premium de la compañía, los cuales han comenzado su producción en masa después de que en diciembre la compañía arrancara en diciembre de 2017 los chips de memoria GDDR6 para GPUs, y en febrero para los chips DDR5 para la próxima generación de memoria RAM.

Samsung LPDDR5 10nm 740x434 0

Los chips de memoria LPDDR5 de 8Gb son capaces de alcanzar una transferencia de datos de hasta 6400 MB/s, lo que se traduce en ser 1.5x más rápida que los actuales chips de memoria LPDDR4X que emplean los smartphones tope de gama (4266 MB/s). Gracias a este aumento en velocidad, la memoria LPDDR5 es capaz de enviar 51.2 GB de datos en un sólo segundo, y todo ello reduciendo el consumo energético en un 30 por ciento respecto a la memoria LPDDR4X.

Además de dar vida a smartphones tope de gama, la memoria DRAM LPDDR5 de Samsung será un gran avance para la industria de la Inteligencia Artificial y el Aprendizaje Profundo.

“El desarrollo de chips de memoria LPDDR5 de 8Gb representa un gran avance para las soluciones de memoria móvil de baja potencia”, dijo Jinman Han, vicepresidente senior de planificación de productos de memoria e ingeniería de aplicaciones en Samsung Electronics.

“Continuaremos expandiendo nuestra línea de DRAM @ 10nm de última generación a medida que aceleremos el avance hacia un mayor uso de memoria premium en todo el panorama global”.

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