Samsung pagará 1.200M de dólares por infringir una patente relacionada con la tecnología FinFET

Durante el pasado mes de mayo, Samsung tuvo que pagar la enorme cantidad de 538,6 millones de dólares a su principal enemigo, Apple, debido a una infracción de patentes relacionada con el plagio de diseño del iPhone. Ahora, Samsung vuelve a ser castigada una vez más por usar la propiedad intelectual de otra compañía sin pagar por la debida licencia.

El jurado de los Estados Unidos expuso un nuevo juicio por infracción de patente de una tecnología específica relacionada con la arquitectura FinFET. La tecnología relacionada pertenece a KAIST IP US (Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea) y por infringir patentes, la compañía le debe alrededor de 400 millones de dólares a la firma de tecnología.

Sin embargo, el jurado de los Estados Unidos dictaminó que Samsung infringió deliberadamente la patente, y por esa razón, el tribunal decidió triplicar la cantidad hasta alcanzar los 1.200 millones. Cabe destacar que, junto con Samsung, Qualcomm y GlobalFoundries Inc también fueron pillados por infringir la misma patente, pero ambas compañías lograron escapar de la multa.

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En lo que respecta a la patente, FinFET es un transistor que se utiliza en el diseño de procesadores que usan electrodos de compuerta con forma de aleta. La tecnología en cuestión permite la apertura de múltiples puertas en un único transistor, lo que permite un rendimiento superior además de reducir el consumo de energía en chipsets más pequeños.

Según la demanda juzgada por el tribunal de los Estados Unidos, Samsung desestimó el uso de FinFET al principio, pero cambió de opinión cuando Intel licenció FinFET para sus conjuntos de chips. Samsung ha negado la infracción de patente, afirmando que trabajó con la Universidad para desarrollar FinFET. El rey de teléfonos inteligentes de Corea del Sur, también agregó que cree que la patente es inválida y considerará una apelación al jurado.

vía: GizChina

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