El HiSilicon Kirin 980 está fabricado por TSMC a 7nm FinFET
El mes pasado veíamos la primera prueba de rendimiento del Huawei Mate 20, una bestia en términos de rendimiento gracias al próximo SoC tope de gama de la compañía, el HiSilicon Kirin 980, del cual ahora conocemos más detalles, como que llegará durante la segunda mitad de este año (los rumores decían que el Mate 20 llegaría en septiembre), y que estará fabricado por la Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) empleando un proceso de fabricación de 7nm FinFET.
A ello se le suma que empleará el último procesador de Inteligencia artificial de Cambricon Technologies, conocido como 1M, por lo que toda la faceta ya manejada por la IA también dará un notable salto hacia delante, el cual también se aprovechará de las bondades de los 7nm.
Este proceso de fabricación de 7nm FinFET permitirá no solo que el Kirin 980 sea mucho más rápido que su predecesor, sino que también sea notablemente más eficiente, y esto se traduce en que los terminales tope de gama de la compañía, que suelen emplear una batería de 4000 mAh, verán como ganarán muchos puntos en términos de autonomía.
Hay que recordar que el actual SoC Kirin 970, empleado por los Huawei Mate 10 y la familia P20 también está fabricado por TSMC, aunque a un proceso de fabricación de 10nm.
vía: GsmArena
