Samsung ya tiene sus chips de memoria eUFS de 512GB para smartphones tope de gama

Ayer mismo conocíamos los chips de memoria SanDisk iNAND de 256 GB que darán vida a algunos de los smartphone tope de gama en la primera mitad del próximo año (2018), y un día después la reina del mercado de la memoria, Samsung, ha anunciado que la compañía ofrecerá chips de memoria de 512 GB para terminales tope de gama como puede ser su propio Galaxy S9.

Esta enorme cantidad de memoria está pensada para la “próxima generación” de smartphones destinados a descargar archivos de peso muy elevado gracias a las conectividades LTE cada vez más rápidas, y eso se traduce en descargar contenido 4K, disfrutar de la Realidad Virtual, la fotografía o los juegos sin preocuparse nunca más del almacenamiento.

Para ello Samsung proporcionará los primeros chips de memoria embebida Universal Flash Storage (eUFS) de 512 GB de capacidad, los cuales prometen alcanzar unas velocidades secuenciales de lectura de hasta 860 MB/s frente a los 225 MB/s que alcanzará en escritura, todo ello con una escritura y lectura aleatoria 4K de 42.000/40.000 IOPS, 400x veces más rápido que la velocidad aleatoria que puede alcanzar una tarjeta microSD, por lo que con estos chips de memoria es de esperar que se de muerte a las ranuras microSD, pues con 512 GB no tiene sentido poder ampliarla con un almacenamiento que repercuta de forma negativa en el rendimiento del dispositivo.

Para alcanzar esta densidad, Samsung ha hecho uso de sus ya más que conocidos chips de memoria V-NAND, salvo que si en el pasado los apilaba en 48 pisos/capas para ofrecer 256 GB, ahora los apila en 64 pisos para ofrecer el doble de capacidad en el mismo espacio. Es de esperar que esta memoria sólo aparezca, inicialmente, en todos aquellos móviles que hagan uso del SoC Snapdragon 845, el cual incluiría una nueva controladora de memoria para darles soporte.

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