Snapdragon 835 filtrado: 8x Kryo 280 + GPU Adreno 540 @ 10nm FinFET
Más allá de Intel, AMD y Nvidia, las filtraciones tampoco han respetado a otro grande, Qualcomm, el cual ha visto como se ha filtrado su SoC tope de gama para smartphones, el Snapdragon 835, que también se presentará en sociedad la próxima semana en el CES 2017.
El nuevo procesador tope de gama de la compañía alardea de estar
fabricado a una litografía de 10 nanómetros FinFET
de 2ª Generación, prometiendo así un menor tamaño para dar vida a
terminales más delgado, dejar más espacio para la batería y claro,
un menor consumo energético alargando así la
autonomía del terminal. Tal y como muestra la compañía en las
diapositivas que usará cara a su presentación, el
Snapdragon 835 consume la mitad respecto al Snapdragon
801, sobre un 40% respecto al Snapdragon
810 y sobre un 20% respecto a su
predecesor, el Snapdragon 820.
En su interior nos encontraremos con ocho núcleos Kryo 280 divididos en dos clúster de cuatro núcleos cada uno: el de alto rendimiento a 2.45 GHz y el de bajo consumo a 1.90 GHz. Estos núcleos, junto a los gráficos de nueva generación Adreno 540, prometen un gran rendimiento 3D gracias a su potencia y compatibilidad con las nuevas API de bajo nivel, DirectX 12 y Vulkan, a ello se le suma la posibilidad de reproducir contenido 4K a 10 bits y con el respaldo de un DSP (Digital Signal Processor) Hexagon 690 que permitirá alcanzar resoluciones 4K @ 60 FPS.
Por desgracia, no se reveló ningún detalle en torno a pruebas de
rendimiento ni se detalla la nueva tecnología empleada, así que la
información se completa con la conectividad 4G LTE
Cat.16 (hasta 1.000 Mbps de descarga).
vía: Videocardz
