Qualcomm Snapdragon 835 anunciado oficialmente

Hoy ha sido cuando Qualcomm ha anunciado en la Consumer Electronic Show de Las Vegas su nuevo SoC tope de gama, el Snapdragon 835, SoC que se filtró hace escasos días, por lo que tampoco nos pilla por sorpresa.

El nuevo procesador tope de gama de la compañía alardea de estar fabricado a una litografía de 10 nanómetros FinFET de 2ª Generación, prometiendo así un menor tamaño para dar vida a terminales más delgado, dejar más espacio para la batería y claro, un menor consumo energético alargando así la autonomía del terminal. Tal y como muestra la compañía en las diapositivas que usará cara a su presentación, el Snapdragon 835 consume la mitad respecto al Snapdragon 801, sobre un 40% respecto al Snapdragon 810 y sobre un 20% respecto a su predecesor, el Snapdragon 820.

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En su interior nos encontraremos con ocho núcleos Kryo 280 divididos en dos clúster de cuatro núcleos cada uno: el de alto rendimiento a 2.45 GHz y el de bajo consumo a 1.90 GHz. Estos núcleos, junto a los gráficos de nueva generación Adreno 540, prometen un gran rendimiento 3D gracias a su potencia y compatibilidad con las nuevas API de bajo nivel, DirectX 12 y Vulkan, a ello se le suma la posibilidad de reproducir contenido 4K a 10 bits y con el respaldo de un DSP (Digital Signal Processor) Hexagon 690 que permitirá alcanzar resoluciones 4K @ 60 FPS.

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Más allá del músculo, este SoC es capaz de soportar sensores fotográficos de hasta 32 megapíxeles (o dos cámaras de 16 MP) con las que poder capturar contenido 4K @ 30 FPS, los gráficos Adreno 540 son 25 veces más rápidos en el renderizado 3D respecto a los Adreno 530, es compatible con la tecnología de carga ultrarrápida Quick Charge 4.0, donde con 15 minutos podremos cargar hasta un 50 por ciento de la batería del dispositivo, tenemos la conectividad 4G LTE Cat.16, Bluetooth 5, WiFi 802.11ad (4.6 Gbps) y se espera que el LG G6, el HTC 11 o el Samsung Galaxy S8 sean los primeros terminales en implementarlo en los próximos meses.

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