Snapdragon 835: Fabricado a 10nm FinFET por Samsung y con Quick Charge 4.0

Qualcomm anunció hoy lo que ya se rumoreaba, su colaboración con Samsung para la fabricación del SoC Snapdragon 835, el que será su próximo procesador tope de gama que dará vida a una gran cantidad de smartphones. La compañía ha decidido escoger a Samsung por lo evidente, hacer uso de su más reciente proceso de fabricación con una litografía de 10nm FinFET, que además de ayudar a aumentar el rendimiento repercute en disminuir el consumo energético.

De acuerdo con Qualcomm, el proceso de fabricación a 10nm FinFET es hasta un 30 por ciento más eficiente y ofrece un 27 por ciento de rendimiento mejorado o un 40 por ciento menos de consumo energético. Esta disminución de la litografía permitirá a los fabricantes de hardware fabricar dispositivos más pequeños o incluir otros componentes.

Lo más interesante de este Snapdragon 835 es el respaldo de la tecnología de recarga rápida Quick Charge 4.0, un 20 por ciento más rápido y un 30 por ciento más eficiente respecto al Quick Charge 3.0, esto gracias a una tecnología Dual Charge de doble carga en paralelo por medio de un puerto USB Type-C, manteniendo así los estándares. En resumen, no solo podremos cargar la batería un 20 por ciento más rápido con una mayor eficiencia energética, sino que se aprovecha para incluir la tecnología Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (INOV) que permitirá monitorizar en tiempo real las temperaturas para evitar problemas.

Esta doble carga en paralelo se traduce en incluir dos nuevos ICs encargados de la administración de energía, el SMB1380 y el SMB1381, prometiendo una baja impedancia y una eficiencia térmica de hasta un 95 por ciento. Se espera que el Snapdragon 835 esté disponible durante la primera mitad del 2017.

vía: GsmArena