China producirá chips de memoria 3D NAND Flash

Yangtze River Storage Technology (YRST) se tratará del primer fabricante chino que produzca memoria NAND Flash y DRAM. Este hito tendrá lugar a finales de este mismo año mientras que para el 2017, YRST espera producir memoria 3D NAND Flash de 32 niveles. Para ello la compañía ha invertido 24.000 millones de dólares en una nueva fábrica que terminará de construirse en las próximas semanas, teniendo una segunda fase de ampliación/mejora para ampliar su producción en el 2018 y una tercera y ultima fase en el 2019.

SSD Intel 3D NAND Flash (2)

En su primera etapa se espera que la compañía sea capaz de lanzar 300.000 obleas cada mes. También hará fabricará su propia memoria DRAM. Los rumores indican que este movimiento estratégico estaría basado el respaldo de Tsinghua Unigroup con la colaboración de Micron.

Esta noticia llega después de que se anunciara una escasez de dicho tipo de memoria que está repercutiendo en el aumento de precio de las unidades en estado sólido (SSD), módulos de memoria RAM e incluso las tarjetas de memoria o pendrive, por lo que la llegada de China a la industria de la memoria NAND Flash son muy buenas noticias, pues se une un fabricante más que ayudará a satisfacer la muy alta demanda impuesta por los smartphones y evitar la escasez de stock que repercute en el aumento de los precios.

vía: Digitimes

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