Intel promete SSDs de 10TB gracias a la 3D Vertical NAND Flash

Intel anunció que junto a Micron Technology, durante el segundo trimestre de 2015, comenzarán la fabricación en masa de la memoria 3D Vertical Nand Flash (3D V-NAND) que permite crear chips de 256 Gb (celdas multi-nivel, 2 bits por celda) o de 384 Gb (celdas de triple-nivel, 3 bits por celda) de capacidad. Cada chip de memoria 3D V-NAND puede tener 32 niveles de altura uno conectado a otro, lo que permitirá tener SSD's de 10 TB de capacidad en los próximos 2 años.

Intel llega así para competir con Samsung, la cual es la única que hasta ahora hace uso de este tipo de memoria que permite no sólo una mayor densidad de memoria en el mismo espacio, sino aumentar la velocidad de lectura y escritura de una forma significativa, la durabilidad y la eficiencia energética.