Samsung comienza a fabricar módulos DDR4 de 8GB @ 20 nm

Samsung Electronics ha anunciado que ha comenzado la producción en masa de los módulos DDR4 de 8 GB más avanzados de la industria gracias al estar fabricado con un nuevo proceso de fabricación de 20 nanómetros, aunque por ahora enfocados al uso de servidores empresariales.

Gracias a este nuevo proceso de fabricación y chips de memoria la compañía ya anunció que será capaz de alcanzar los 32 GB de capacidad por módulo con un diseño de memoria en doble fila (RDIMM) a finales de este mes. Estos nuevos módulos de 8 GB permiten alcanzar unas transferencias de datos de hasta 2.400 Mbps, lo que significa que son un 29% más rápidas respecto a los módulos DDR3 para servidores que alcanzan los 1.866 Mbps. Estos nuevos chips de memoria darán vida a una nueva generación de módulos de memoria que funcionarán a 1.2 voltios.