Samsung y SK Hynix fabricaran sus chips de memoria en 20 nm

Los fabricantes de memoria DRAM coreanos Samsung y SK Hynix han manifestado sus esfuerzos para escalar la producción de componentes de silicio a los 20 nm para el próximo año 2013. Actualmente ya se encuentran disponibles chips de memoria DRAM bajo un proceso de fabricación de 20 nm, pero la mayoría de estos aún siguen siendo fabricados en los 30 nm. Para el próximo año se espera que ambas compañías puedan tener la mayor parte de su producción en 20 nm, con una carrera progresiva hacia este tamaño.

lchapuzasinformatico.com wp content uploads 2012 10 ram 0

Recordemos que la reducción del tamaño en el proceso de fabricación permite aumentar el número de transistores que ocupan un cierto espacio o por el contrario reducir las temperaturas de estos, así como el consumo.

vía: TechPowerUp

Artículos relacionados