Nanodot Memory dice ser 100 veces más rápida que la memoria actual
Investigadores de Taiwán y de la Universidad de California Berkeley, dicen haber desarrollado una nueva tecnología para los chips de memoria que puede superar las velocidades actuales en hasta 100 veces.
Estos dispositivos de memoria utilizan un material no conductor junto a nano-puntos de silicio (Si-QD), los cuales tienen un diámetro de alrededor 3 nm y representan un bit de memoria. La función de almacenamiento se proporciona a través de una capa metálica sobre la superficie de nano-puntos, que controlará la etapa on/off del bit.
El voltaje de operación de este dispositivo de memoria no volátil es de 7V y la velocidad de escritura/borrado de los nano-puntos inferior a 1 μs. Para la escritura de un bit, se usara un breve disparo de láser verde en regiones específicas de la capa de metal alcanzando al nano-punto de forma individual.
Por último, afirman que esta tecnología es compatible con los circuitos integrados actuales y que puede ser usada para otros dispositivos de lectura/escritura.
No hay información por ahora de las capacidades que manejan con esta nueva memoria, ni de su posible producción más allá del laboratorio.
Vía: Tom’s Hardware