Nanodot Memory dice ser 100 veces más rápida que la memoria actual

Investigadores de Taiwán y de la Universidad de California Berkeley, dicen haber desarrollado una nueva tecnología para los chips de memoria que puede superar las velocidades actuales en hasta 100 veces.

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Estos dispositivos de memoria utilizan un material no conductor junto a nano-puntos de silicio (Si-QD), los cuales tienen un diámetro de alrededor 3 nm y representan un bit de memoria. La función de almacenamiento se proporciona a través de una capa metálica sobre la superficie de nano-puntos, que controlará la etapa on/off del bit.

El voltaje de operación de este dispositivo de memoria no volátil es de 7V y la velocidad de escritura/borrado de los nano-puntos inferior a 1 μs. Para la escritura de un bit, se usara un breve disparo de láser verde en regiones específicas de la capa de metal alcanzando al nano-punto de forma individual.

Por último, afirman que esta tecnología es compatible con los circuitos integrados actuales y que puede ser usada para otros dispositivos de lectura/escritura.

No hay información por ahora de las capacidades que manejan con esta nueva memoria, ni de su posible producción más allá del laboratorio.

Vía: Tom’s Hardware

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