Memoria RAM DDR4 entrará en fabricación en 2013

DDR4 será el próximo estándar de memoria DRAM, la cual se espera que sea adoptada de forma masiva en 2014, es por ello que las compañías detrás de su existencia han empezado a mostrar los primeros prototipos.

En la International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) que terminó hace unos días, Hynix enseñó su primer módulo RAM DDR4 funcionando a 2400 MHz con un voltaje de 1.2V llevando un I/O de 64 bits. Por otro lado, Samsung presentó otro modelo con el mismo voltaje, pero a una frecuencia de 2133 MHz, por ejemplo los módulos DDR3 1333/1600 MHz necesitan de 1.3 o 1.5V para funcionar.

Hynix hace uso de chips de memoria a 38 nm, mientras que Samsung lo hace a 30 nm, en ambos casos no sólo estos módulos serán más rápido, si no que presentarán una eficiencia energética de hasta un 40% en comparación con sus predecesores, pero claro, no será compatible con las actuales placas base DDR3.

Por otro lado, grandes conocidas como Elpida, Micron y Nanya no mostraron ningún módulo DDR4, algo lógico ya que no corre prisa y la producción en volumen se iniciará en 2013, lo que significa que la disponibilidad en masa será en el 2014. Por ahora hay asuntos más urgentes, como los bajos precios de los chips DRAM y de cómo los consumidores no están respondiendo a la demanda que preveían los fabricantes.

Vía: Softpedia

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