Samsung comienza a producir en masa sus módulos DRAM 3D TSV DDR4

Samsung ha comenzado la producción en masa de módulos de 128 GB DDR4 construidos usando la tecnología "through silicon via" (TSV). Samsung mostró el primer módulo DRAM 3D TSV DDR4 (64 GB) en 2014 afirmando que los nuevos módulos de memoria son un gran avance en la capacidad y en la eficiencia energética. No te hagas ilusiones, estos módulos estarán dirigidos a los servidores empresariales y centros de datos.

En un comunicado, Samsung dijo que la alta velocidad, y el bajo consumo de energía del módulo DRAM TSV de 128GB, permitirá a sus clientes y socios globales poner en marcha una nueva generación de soluciones empresariales con una mejora drástica en la eficiencia y escalabilidad para su inversión.

Samsung DRAM 3D TSV DDR4

Los circuitos avanzados TSV conectan los componentes del chip usando "cientos de orificios finos y verticalmente conectados por electrodos que pasan a través de los agujeros, lo que permite un impulso significativo en la transmisión de la señal." Esto reemplaza la unión de cables tradicionales, contó Samsung.

Un solo módulo RDIMM TSV DDR4 de 128GB se compone de nada menos que de 144 chips de memoria dispuestos en 36 paquetes de 4GB junto a 4 de 8Gb en un proceso de fabricación de 20nm. La tecnología TSV seguirá siendo apoyada por Samsung para llevar a cabo unos nuevos módulos con unas velocidades de transferencia de datos de hasta 2667 y 3200 MHz.

vía: Fudzilla

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