Samsung prepara sus chips DRAM de 6Gb @ 20 nm

Samsung anunció hoy el inicio de la producción en masa de sus chips de memoria DRAM LPDDR3 de 6 Gb de capacidad para dispositivos móviles fabricados a un proceso de manufactura de 20 nm que prometen un alto rendimiento gracias a unas transferencias de datos de hasta 2.133 Mbps.

Respecto a los actuales chips de memoria LPDDR3 de 3 GB de capacidad, los nuevos chips de 6 Gb son un 20% más pequeños y consumen un 10% menos de energía aportando un 30% más de productividad. Como ejemplo se tomó el Samsung Galaxy Note 4, el cual hace uso de estos chips de 3GB LPDDR3 @ 30 nm.

No será hasta el mes de marzo que podamos encontrar estos chips de memoria @ 20 nm en el mercado para dar vida a la próxima generación de dispositivos móviles de alta gama, los cuales se acompañarán de otras variantes de menor capacidad manteniendo el proceso de fabricación de 20 nm.

vía: GsmArena