IBM y SK Hynix se asocian para desarrollar memorias PCRAM

SK Hynix ha anunciado un acuerdo con IBM para desarrollar de forma conjunta productos basados en memorias PCRAM, licenciando Hynix las memorias con cambio de fase de IBM.

La memoria con cambio de fase difiere de la tradicional memoria de acceso aleatorio en explotar la diferencia en la resistencia del material cristalino y sus estados amorfos. Cambiar el estado del material influye en su resistividad, haciendo posible almacenar ceros y unos de forma que un ordenador pueda comprender.

A diferencia que la memoria DRAM tradicional, la PCRAM es no volátil (la información no desaparece al cortar la alimentación) por lo que puede ser considerada más bien un reemplazo para la memoria NAND flash usada en los SSD actuales. Esta tecnología ofrece un rendimiento 100 veces superior al de las memorias NAND flash a la vez que una durabilidad 1000 veces mayor. Por si fuera poco, requiere de menos energía para funcionar, por lo que las memorias PCRAM son lo que los móviles y tablets llevan esperando mucho tiempo.

SK Hynix también está investigando una nueva tecnología para crear memorias de almacenamiento con las que hacer un puente entre la DRAM y los SSD, mejorando el rendimiento y los tiempos de acceso. Además, la compañía se encuentra desarrollando memorias STT-MRAM y ReRAM junto a fabricantes como Toshiba y HP, por lo que podemos esperar un gran cambio en las memorias para dentro de unos años.

vía: Bit-Tech

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